北京市国讯电子科技有限公司

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共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
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共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3

型号/规格:

SI2305CDS-T1-GE3

品牌/商标:

VISHAY

封装形式:

SOT23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特征:

中功率

产品信息

FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.8A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)1.8V,4.5V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)35 毫欧 @ 4.4A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)30nC @ 8VVgs(值)±8V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)960pF @ 4VFET 功能-功率耗散(值)960mW(Ta),1.7W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3